Расчет лазера со22

Рейтинг лучших лазеров для эпиляции по удалению волос


Рейтинг лучших лазеров для эпиляции по удалению волос

Кастальский [3] предложили создавать инверсию населенности между аппараты узи сердца и сосудов кишинев размерного квантования электронов в бескаскадной структуре с независимыми прямоугольными КЯ, но для эффективного опустошения основного состояния использовать мощное стимулированное излучение расчет лазера со22 ИК диапазона. Определение температуры электронов в КЯ в сильных электрических полях с учетом неравновесных оптических расчет лазеров со22. Для оценки влияния на этот эффект неравновесных фононов, электрическому полю была сопоставлена электронная температура с учетом и без учета неравновесных фононов. Новая купить аппарат лазерной эпиляции профессиональный екатеринбург для тела Eden Breeze также содержит масла дамасской розы и чисон узи аппарата официальный, бергамота и масло пало санто гваяковое деревокоторое улучшает упругость и эластичность кожи. Образование неоднородной композитной структуры в сварных швах, полученных при использовании оптимизированных параметров сварки, происходит несмотря на плавление порошка твердого припоя, сварочного порошка и основного материала в одной сварочной ванне.

Квантроны с ламповой накачкой

Данный автореферат диссертации должен поступить в библиотеки в ближайшее время Уведомить о поступлении. Зерова Вера Львовна. Внутризонные инверсии населенности и поглощение излучения среднего инфракрасного диапазона в квантовых ямах на основе соединений AIIIBV : диссертация Излучательные и безызлучательныс внутризонные переходы электронов в квантовых ямах обзор литературы Энергетический спектр и волновые функции электронов в квантовых ямах на основе соединений АШВУ Расчет вероятностей внутризонных переходов электронов при основных безызлучательных механизмах рассеяния Влияние неравновесных фононов на оптические явления в объемных полупроводниках и квантовых ямах Некоторые методы получения инверсии населенности и модуляции излучения среднего инфракрасного диапазона в квантовых ямах Влияние неравновесных фононов на внутризонные эмиссию и поглощение света горячими электронами в квантовых ямах Влияние неравновесных оптических фононов на скорость рассеяния энергии горячих электронов в квантовых ямах Влияние уровня легирования, ширины ямы и процессов экранирования на скорость рассеяния энергии Влияние неравновесных оптических фононов на внутризонную эмиссию света горячими электронами в квантовых ямах Влияние неравновесных оптических фононов на модуляцию межподзонного поглощения света горячими электронами в квантовых ямах Впутризоннос поглощение света в туннельно-связаниых квантовых ямах в равновесных и неравновесных условиях Механизмы рассеяния, влияющие на внутризонную инверсию населенности в ступенчатых квантовых ямах Механизм образования внутризонной инверсии населенности в ступенчатых квантовых ямах, расчет волновых функций и энергетического спектра электронов Влияние концентрации неравновесных носителей заряда на времена электрон-электронного и электрон-дырочного рассеяния в ступенчатых квантовых ямах Расчет инверсии населенности и оценка пороговых характеристик в предложенном дизайне лазера среднего инфракрасного диапазона со ступенчатыми квантовыми ямами Зависимость внутризонной инверсии населенности от температуры и концентрации электронов и дырок в квантовой яме Интерес к оптическим исследованиям наноструктур в последние годы вызван возможностью наблюдения принципиально новых физических явлений и созданием новых оптоэлектронных приборов квантовых генераторов, фотодетекторов, модуляторов.

Ближний инфракрасный ИК диапазон длин волн к 3 мкм хорошо освоен. Генерация, модуляция и детектирование излучения среднего ИК диапазона А, « мкм также вызывают интерес, так как могут найти широкое применение в медицине, экологии, ИК спектроскопии, связи и т. Несколько вариантов лазеров на внутризонных переходах электронов в квантовых ямах КЯ уже создано см. Однако существующие проблемы, связанные с дорогостоящей технологией их изготовления или сложностью практического использования, ограничивают их применение. Поэтому поиск новых способов получения внутризонной инверсии населенности остается по-прежнему актуальной задачей.

Один из таких способов исследуется в настоящей работе. При этом изучается влияние на внутризонную инверсию населенности электрон-фононного, электрон-электронного и электрон-дырочного рассеяния, которые могут разрушать инверсию [1,3,4]. В настоящей работе исследуется также внутризонное поглощение света в КЯ при приложении электрического поля вдоль квантово-размерных слоев.

В таких условиях температура электронов может сильно отличаться от температуры решетки. Оптические явления, возникающие благодаря разогреву носителей заряда, интересны с физической точки зрения и могут быть использованы для создания новых приборов оптоэлектроники. Так, для излучения дальнего ИК диапазона с Х« мкм известен малоинерционный модулятор, основанный на межподзонных переходах горячих дырок в германии [5]. В настоящей работе рассмотрены два механизма модуляции излучения среднего ИК диапазона, основанные на межподзонных переходах горячих электронов в КЯ. Оптические явления, возникающие в КЯ в продольном электрическом поле, изучены слабо.

Обычно внутризонные поглощение и эмиссия света исследуются при приложении поперечного электрического поля или при оптическом возбуждении [1, 2, б], при этом разогрев носителей заряда является побочным процессом. Разогрев носителей заряда происходит в процессе работы многих оптоэлектронных приборов квантовых каскадных лазеров, инжекционных лазеров и др. Поэтому при проектировании и оптимизации приборов определение температуры электронов является актуальной задачей. В настоящей работе электронная температура определена в прямоугольных и туннельно-связанных КЯ при приложении продольного электрического поля.

При этом учтена возможность накопления неравновесных оптических фононов в сильных полях и определено их влияние на внутризонные оптические явления. Отметим, что оптические явления с учетом неравновесных фононов исследовались ранее в объемных полупроводниках [7, 8], однако в КЯ изучалось влияние неравновесных фононов только на межзонную фотолюминесценцию и динамические свойства электронов при оптическом возбуждении [7].

Цель работы - исследование влияния разогрева электронов сильным электрическим полем на внутризонные оптические явления в КЯ, анализ возможности получения внутризонной инверсии населенности и изучение ее характеристик, анализ модуляции излучения среднего ИК диапазона в квантовых ямах специальной конструкции. Определение температуры электронов в КЯ в сильных электрических полях с учетом неравновесных оптических фононов. Оценка величины изменения интенсивности внутриподзонной эмиссии и коэффициента межподзошюго поглощения света в КЯ вследствие влияния неравновесных оптических фононов. Оценка возможности получения внутризонной инверсии населенности в асимметричных ступенчатых квантовых ямах:. Научная новизна работы. Для полупроводниковых КЯ специальной формы предложены физические механизмы и расчеты, описывающие внутризонные оптические эффекты и рассеяние электронов, а именно:.

Рассчитаны глубина модуляции внутризонного поглощения света и величина внутризонной инверсии населенности в исследуемых структурах. В результате проведенных расчетов и анализа экспериментальных данных сделан вывод о возможности получения внутризонной инверсии населенности, достаточной для генерации излучения среднего ИК диапазона в асимметричных ступенчатых КЯ, а также эффективной модуляции излучения среднего ИК диапазона в туннелыю-связанных КЯ. Найдена оптимальная энергия кванта излучения среднего ИК диапазона, для которой может быть получена наибольшая глубина модуляции в туннелыю-связанных КЯ. Выбраны параметры асимметричной ступенчатой КЯ для получения наибольшего коэффициента усиления излучения среднего ИК диапазона.

Показано, что е-е и e-h рассеяние в асимметричных ступенчатых КЯ не разрушает внутризонную инверсию населенности для излучения среднего ИК диапазона. Наибольшая величина внутризонной инверсии населенности может быть достигнута в лазерных структурах с малой пороговой для межзонного стимулированного излучения концентрацией носителей заряда в КЯ менее 5-Ю 11 см" 2. В последующих исследованиях в области полупроводниковых КЯ могут быть использованы предложенные в настоящей работе схемы расчетов времен внутризонного рассеяния электронов на полярных оптических фононах, в том числе с учетом неравновесных фононов, на акустических фононах, ионизованных атомах примеси, е-е и e-h рассеяния в КЯ сложной формы.

Неравновесные полярные оптические фононы существенно влияют на величину оптических эффектов, связанных с внутризонными переходами электронов при их разогреве продольным электрическим полем в квантовых ямах. Учет возможности «антипересечения» уровней в электрическом поле в туннельно-связанных квантовых ямах с малым энергетическим расстоянием между двумя нижними подзонами позволяет удовлетворительно интерпретировать экспериментальные данные по модуляции межподзонного поглощения света, которая может быть объяснена перераспределением электронов между нижними подзонами и изменением их энергетического спектра и волновых функций. В асимметричных ступенчатых квантовых ямах в условиях токовой инжекции и межзонного стимулированного излучения возможно появление внутризонной инверсии населенности, достаточной для генерации излучения среднего ИК диапазона.

Достоверность и надежность результатов основана на их соответствии результатам экспериментов и согласии с результатами других работ, посвященных сходной тематике. Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на следующих отечественных и международных конференциях:. Городская студенческая научная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике Санкт-Петербург, ; 6, 7 International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology" St.

Новгород, ; 7 Всероссийская молодежная научная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике Санкт-Петербург, По теме диссертации имеется 33 публикации, из них 11 статей в отечественных и международных журналах. Основное содержание отражено в восьми работах, перечень которых приведен в конце диссертации. Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы из наименований; содержит страницы машинописного текста, включая 45 рисунков. Во введении обоснована актуальность темы и сформулирована цель работы, показана научная новизна и практическая значимость результатов, даны сведения о структуре и содержании работы и приведены положения, выносимые на защиту.

Первая глава содержит обзор литературы по излучательным и безызлучательным внутризонцым переходам электронов в КЯ. Выбраны объекты исследования и определены задачи диссертационной работы. Вторая глава посвящена исследованию влияния неравновесных полярных оптических фононов на внутриподзонную эмиссию и межподзонное поглощение света в прямоугольных селективно легированных резонансных КЯ при приложении продольного электрического поля [А1, А2]. В параграфе 2. Рассмотрены два способа расчета скорости рассеяния энергии.

Первый способ основан на вычислении разности вероятностей. Определена основная характеристика горячих электронов - электронная температура [А1]. Результаты расчета электронной температуры с учетом неравновесных фононов совпадают с данными, полученными из анализа экспериментальных спектров внутриподзонной эмиссии. Показано, что появление неравновесных фононов увеличивает электронную температуру, вследствие чего спектральная плотность излучения в рассмотренном диапазоне длин волн и электрических полей возрастает в 1.

Предполагалось, что экспериментально обнаруженный в работе [10] рост поглощения Да излучения СОг-лазера под действием поля может происходить вследствие увеличения энергии межподзонного перехода по отношению к энергии кванта излучения. Энергия межподзонного перехода увеличивается вследствие заброса электронов на верхний уровень при их разогреве электрическим полем, перераспределения этих электронов в область барьера в соответствии с волновой функцией и компенсации зарядов примеси, в результате чего уменьшается объемный заряд и повышается энергия верхнего уровня.

Для оценки влияния на этот эффект неравновесных фононов, электрическому полю была сопоставлена электронная температура с учетом и без учета неравновесных фононов. Использование найденных электронных температур в функции распределения электронов и самосогласованное решение уравнений Пуассона и Шредингера позволило определить изменение энергии межподзонного перехода в электрическом поле и, следовательно, Да. Третья глава посвящена исследованию модуляции межподзонного поглощения света в туннелыю-связанных КЯ при приложении продольного электрического поля.

В параграфе 3. Из сравнения с экспериментально найденными спектрами и анализа их изменения при оптическом возбуждении определены положения близко лежащих уровней размерного квантования. Скорректированы параметры КЯ. Для новых параметров КЯ найден энергетический спектр и волновые функции электронов с учетом влияния пространственного заряда. Непараболичность энергетического спектра учтена в модели Экенберга [11]. Дано объяснение температурной зависимости спектра поглощения, основанное на перераспределении электронов между подзонами, изменении их энергетического спектра и волновых функций.

В параграфах 3. Предложенные схемы расчета позволяют учитывать реальный вид волновых функций электронов в многослойных КЯ и разную степень разогрева электронов в разных подзонах. Падающее излучение СОг-лазера может поглощаться при переходах электронов со второго на третий уровень размерного квантования. В отсутствие поля концентрация электронов на втором уровне невелика, поэтому поглощение мало. При включении поля возрастает средняя энергия электронов первой подзоны и вероятность их рассеяния во вторую подзону, что приводит к значительному увеличению поглощения.

Концентрации и температуры электронов в первой и второй подзонах в электрических полях определены из системы уравнений баланса мощности для каждой подзоны, равенства потоков частиц между подзонами и сохранения числа частиц. Переходы электронов и перенос энергии между подзонами рассмотрены с учетом рассеяния на ионизованных атомах примеси, оптических и акустических фононах. Скорость внутриподзонной релаксации энергии электронов найдена с учетом неравновесных оптических фононов. Обнаружено, что экспериментально найденная зависимость изменения коэффициента межподзонного поглощения Да от поля в данной структуре не может быть объяснена. Предложено объяснение наблюдаемой модуляции, основанное на предположении о возникновении в данной структуре поперечной компоненты электрического поля.

В этом случае происходит «антипересечение» близких по энергиям двух нижних уровней, которое приводит к существенной перестройке спектра поглощения света. Изменение коэффициента поглощения вычислено с учетом изменения силы осциллятора, энергии оптического перехода, концентрации и температуры электронов в электрическом поле. Показано, что учет неравновесных фононов позволяет лучше описать ход экспериментальной зависимости модуляции от поля.

Найдена оптимальная энергия кванта излучения мэВ , для которой может быть получена наибольшая глубина модуляции в данной структуре [А5].

Сверла (страница 19)

Мы оставляем за собой право отказать в публикации любой информации в нашем издании. We reserve the right to refuse service to anyone. Чтобы поместить объявление в следующий номер, необходимо подать информацию в течение недели после выхода этого выпуска. Все права защищены. Not valid with any other offer. Offer must be presented at time of service. Nachtigall Tax Service Inc Выступаем в роли уполномоченного представителя клиента на проверке и в апелляционном процессе.

RU2610198C2 - Способ наплавления и сварки плавлением сверхпрочных сплавов - Google Patents

МГУ имени М. Ломоносова Факультет наук о материалах профессор с 1 сентября г. Предыдущие места работы. Ломоносова Кафедра физической химии Химический факультет профессор с 1 сентября г. Обращение успешно создано!

Написать комментарий

Ваш электронный адрес не будет опубликован. Поле обязательно для заполнения *

Последние записи

Свяжитесь с нами

ОТПРАВИТЬ СООБЩЕНИЕ